会社概要・沿革
挨拶

　株式会社　福田結晶技術研究所は、結晶材料開発に関連して38年間、産・官・学で得た福田の知識・技術蓄積をもとに、東北大学金属材料研究所で得られた研究成果を手はじめとして、結晶材料の事業化を目的としたベンチャー企業として2002年4月にスタートしました。

　起業して既に11年目に入りましたが、現在結晶作製経験も45年以上になり、単結晶作製のことなら何でもということで、新結晶創出から、先端結晶作製技術による試作、量産技術化まで相談に応じるまで至りました。豊富な経験・実績を持ったスタッフ及び、結晶育成装置を備え、世界にまたがる豊富な人脈、情報網を活用して、日々研鑽を重ねています。

　最近では特に省エネに関連した固体照明用ＬＥＤを担う窒化ガリウム結晶用基板等、最新のエレクトロニクスを支えるパワーデバイス用基板、材料、装置、技術開発の需要に応えられるよう、人材、装置の拡充を行っています。

代表取締役社長福田承生

福田承生略歴

　多年にわたり結晶成長技術の研究を推進し、化合物半導体(GaP, GaAs, InP)、誘電体、酸化物など多岐にわたる結晶成長技術を確立し、各企業での実用化に貢献。

　昭和55年にタンタル酸リチウム単結晶を用いた弾性表面波フィルタの結晶の量産化に成功した。昭和56年からは通産省主導の国家プロジェクトにおける光技術共同研究で、国内電気メーカー連合チームのリーダーとして高純度大型GaAs単結晶成長技術を開発し、多くの企業での実用化に貢献した。これらの結晶は今日の移動体通信環境を支える高周波素子の基板結晶として重要な役割を果たしている。

近年では、チョクラルスキー法でリソグラフィー用大型12”φCaF₂単結晶育成、圧電用ランガサイト系結晶、シンチレータ用LuAG結晶等数々の結晶の開発と実用化に成功している。また、水熱合成法でのZnO結晶、超臨界アモノサーマル法でのGaN結晶の成長技術開発にも成功した。独創的なマイクロ引下げ法によるファイバー単結晶作製等にも成功し、これらの幅広い結晶成長技術開発により多くの企業での実用化を進展させている。

略歴

主な研究履歴と受賞